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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  RO4003C,RO4350B,RO4360G2,RO4835層壓板:高性能電路材料的介紹與應(yīng)用 2025-01-22 08:38:00

  RO4000? 系列高頻電路材料是玻璃增強(qiáng)型碳?xì)浠衔锖吞沾桑ǚ荘TFE）層壓板，專為性能敏感、高容量商業(yè)應(yīng)用設(shè)計，能提供卓越高頻性能與低成本電路制造，可用標(biāo)準(zhǔn)FR-4工藝制造。其中RO4003C?等部分層壓板可與Ticer TCR薄膜電阻箔包覆，有特定箔厚與電阻值，1oz厚銅箔可特殊訂購。